Silicon carbide (SiC) là vật liệu mặt phớt phổ biến nhờ độ cứng cao, chịu mài mòn, dẫn nhiệt tốt và bền hóa học. Tiêu chuẩn API 682 bản thứ tư chấp nhận cả hai loại SiC làm vật liệu mặt phớt mặc định, nhưng hai loại này khác nhau ở cách chế tạo, cấu trúc và khả năng chịu môi chất.
Hạt SiC trộn với carbon được tạo hình, sau đó silicon nóng chảy thấm vào các khe rỗng và phản ứng với carbon tạo thêm SiC. Kết quả là một vật liệu đặc, gần như không còn lỗ rỗng nhưng vẫn chứa một lượng silicon tự do liên kết giữa các hạt.
Bột SiC mịn trộn với chất trợ thiêu kết được tạo hình rồi nung ở nhiệt độ rất cao, các hạt kết dính trực tiếp với nhau. Vật liệu thu được hầu như chỉ gồm SiC, không có silicon tự do.
Có loại SSiC chứa hạt graphite để cải thiện khả năng chịu chạy khô thoáng qua, và loại SiC có lỗ rỗng kiểm soát giúp giữ chất lỏng tại mặt phớt, giảm ma sát. Mỗi loại có ưu nhược riêng nên cần chọn theo dịch vụ.
SiC là vật liệu giòn nên dễ nứt khi va đập hoặc kẹp không đều. Khi ghép hai mặt SiC với nhau, phớt kém chịu chạy khô hơn so với ghép SiC với carbon.
Luôn kiểm tra bảng tương thích hóa học của nhà sản xuất cho từng môi chất và nồng độ. Liên hệ SNS-VN để được tư vấn chọn vật liệu.
Pumps and Systems, tổng hợp kiến thức vật liệu kỹ thuật phổ biến.